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抛光片

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主要的抛光片为4~8吋低缺陷、高平坦度的硅芯片, 同时提供硼、磷、砷、锑等不同掺杂的硅芯片以供客户不同应用所需,并针对目前节能趋势提供低阻超重掺硅芯片技术以满足功率组件降低开路电阻(RDS(on))的需求。

Capability of Silicon Substrate

Type	Dopant	Diameter (mm)	Resistivity Range (ohm．cm)
P	Boron	100/125/150/200	0.0006~200
N	Phosphorus	100/125/150/200	0.0011~60
N	Arsenic	100/125/150/200	0.0020~0.01
N	Antimony	100/125/150/200	0.0088~0.03

	01	单晶成长 Crystal Growth 主要是以CZ方式成长无差排单晶，其中又分为P Type和N Type单晶。轻掺部分则有硼、磷二种掺质，重掺则有硼、磷、砷、锑四种掺质，合晶科技可提供不同晶向、氧含量与阻值之产品。
	02	切片 Slicing 切片顾名思义就是将晶棒切成片状。切片过程的好坏对芯片翘曲度有决定性的影响，为了芯片质量使用先进的线切割机，生产翘曲度(Bow Warp)小的芯片。
	03	圆边(倒角)Edge Grinding 应力集中会造成芯片多项的缺点，然而只要将芯片边缘修整成圆弧状，改善芯片的机械强度，即可避免应力集中造成的芯片缺陷。
	04	研磨 Lapping 研磨具有兩项主要功能，一：除去前制程切片、磨削之缺陷如锯痕、表面损伤层，二：改善芯片平坦度TTV、TTV、翘曲度，为芯片进行抛光制程之前处理。
	05	蚀刻　Etching 芯片在经过切片和研磨后，其表面因加工应力会形成一层损伤层，蚀刻则是利用混酸蚀刻硅芯片以去除表面损伤层，使整片芯片维持高质量的单晶特性。
	06	晶背加工 Backside Treatment 晶背加工的目的， (1)主要在于吸除芯片本身的杂质 (2)或以成长多晶硅薄膜作为去疵用，进而改善芯片电性 (3)化学气相沉积氧化膜以作背封，防止自动掺杂
	07	抛光 Polishing 抛光制程使用抛光浆与抛光垫，搭配适当的温度，压力与旋转速度，可消除前制程所留下的机械伤害层，改善芯片表面粗糙度，并且得到表面平坦度极佳的芯片，避免客户曝光制程中遭遇的聚焦问题。
	08	清洗 Cleaning 清洗的目对在于清除芯片表面的污染物，例如：表面微尘颗粒、有机物、金属等等，以确保芯片表面洁净度。
	09	目检 Visual Inspection 在暗房中藉由辅助光源之协助，以目视检查之方式找出芯片表面缺陷。
	10	品質特性检测 Wafer Characterization 在芯片经过抛光与清洗后，使用高精密度的设备测量resistivity, thickness, TTV, STIR, bow, warpage 等等芯片特性，符合客户制程需求。
	11	洁净度量测 Wafer Clearance Inspection 为了提供客户高质量芯片，在包装前藉由精密的量测机台管控芯片表面微尘颗粒，以符合产品规格。
	12	包装 Package 包装是在晶舟(cassette)外加上PE及铝箔袋的包装，使存放在晶舟内的芯片能达到防尘、安全及干燥的保存环境。