外延片
除抛光片外,亦提供高质量4"~8" 外延片及埋层外延代工以满足客户对CMOS与功率组件的需求, 以达成对客户one stop shopping的服务。
Capability of Silicon Epi-Substrate
| Service type | Diameter (mm) |
Epitaxial Thickness (μm) |
Resistivity Range (ohm．cm) |
| Silicon Epitaxial Wafer | 100/125/150/200 | 2.00~150 | 0.05~60 |
| Buried EPI Service | 150/200 | 2.00~20 | 0.10~50 |
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01 |
单晶成长 Crystal Growth主要是以CZ方式成长无差排单晶，其中又分为P Type和N Type单晶。轻掺部分则有硼、磷二种掺质，重掺则有硼、磷、砷、锑四种掺质，合晶科技可提供不同晶向、氧含量与阻值之产品。 |
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02 |
切片 Slicing切片顾名思义就是将晶棒切成片状。切片过程的好坏对芯片翘曲度有决定性的影响，为了芯片质量使用先进的线切割机，生产翘曲度(Bow Warp)小的芯片。 |
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03 |
圆边(倒角)Edge Grinding应力集中会造成芯片多项的缺点，然而只要将芯片边缘修整成圆弧状，改善芯片的机械强度，即可避免应力集中造成的芯片缺陷。 |
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04 |
研磨 Lapping研磨具有兩项主要功能，一：除去前制程切片、磨削之缺陷如锯痕、表面损伤层，二：改善芯片平坦度TTV、TTV、翘曲度，为芯片进行抛光制程之前处理。 |
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05 |
蚀刻 Etching芯片在经过切片和研磨后，其表面因加工应力会形成一层损伤层，蚀刻则是利用混酸蚀刻硅芯片以去除表面损伤层，使整片芯片维持高质量的单晶特性。
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晶背加工 Backside Treatment晶背加工的目的，
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抛光 Polishing抛光制程使用抛光浆与抛光垫，搭配适当的温度，压力与旋转速度，可消除前制程所留下的机械伤害层，改善芯片表面粗糙度，并且得到表面平坦度极佳的芯片，避免客户曝光制程中遭遇的聚焦问题。 |
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08 |
清洗 Cleaning清洗的目对在于清除芯片表面的污染物，例如：表面微尘颗粒、有机物、金属等等，以确保芯片表面洁净度。 |
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09 |
外延 Epitaxy是指在抛光片上以延续着基材的原子排列方式而长出一层薄膜，长出的外延层的表面特性会优于CZ抛光片。 |
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目检 Visual Inspection在暗房中藉由辅助光源之协助，以目视检查之方式找出芯片表面缺陷。 |
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品質特性检测 Wafer Characterization在芯片经过抛光与清洗后，使用高精密度的设备测量resistivity, thickness, TTV, STIR, bow, warpage 等等芯片特性，符合客户制程需求。 |
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洁净度量测 Wafer Clearance Inspection为了提供客户高质量芯片，在包装前藉由精密的量测机台管控芯片表面微尘颗粒，以符合产品规格。 |
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包装 Package包装是在晶舟(cassette)外加上PE及铝箔袋的包装，使存放在晶舟内的芯片能达到防尘、安全及干燥的保存环境。 |
